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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

华东某LED本质片产量机构,因产量期间中采用砷化镓、电镀锌铟等III-V族无机化合物,废水里面的含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等巨资属,设计制作净化处理企业规模1200吨/日。 废气成份及起源 MOCVD仪器洁净生活污水 :含三级甲等医院基镉、三级甲等医院基铟等有机肥料五金无机化合物 切割工作抛光电镀废水 :含纳米技术级材料颗粒肥料 真空电镀废气 :含铜、镍等塑料阴离子 加工处理加工制作工艺 标准流程 创新发展按照"空气氧化破络+天价属气体吸附+膜分離"组合构成的工艺: 预进行处理第一单元 :加药系统亚硫酸氢钠被分解转换成设计合金金属络合物 基本点处里单位 : 采用DTCR天价属气体吸附剂导致不溶解性螯合物 反渗透装置装置(UF)挪用分子结构环境破坏物 反侵入(RO)脱盐率>98% 淤泥工作机组 :离心力甩干后交予危险废物正确处理主预防 终结体验 经第二方加测: 总砷分量:0.05mg/L(标准0.5mg/L) 镉占比:0.01mg/L(标准0.1mg/L) 水造纸废水处理率:75% 作业人工成本:3.8元/吨水

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